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卷绕真空镀膜机结构设计应该注意的几个问题

真空镀膜机使用的行业不一样，它的机型是不一样的，那么它的结构设计也是有很大的差别。在设计真空镀膜机的时，我们都是要考虑到很多因素，比如：要镀的物件大小，使用的材质，以及它的热点，和其他的一些细节注意事项等，都会影响真空镀膜机的结构设计，那么卷绕真空镀膜机结构设计应该注意那几个问题呢？下面至成真空小编，为大家详细介绍一下：

1、提高卷绕速度的问题。卷绕速度即是带状基材运动的线速度，它是卷绕机构的一个主要技术指栎。国内早期镀膜机卷绕速度只有10m/min，现在也只有80m/min～120m/min，在国外日本的EW系列产品中，其卷绕速度已达到300m/min，德国L．H公司生产的镀膜机已达到600m/min，可见随着镀膜技术的发展，卷绕速度有待提高。

2、带状基材的线速恒定问题。这一问题也很重要，因为只有卷绕机构保证带状基材的线速恒定，才能使基材上镀层厚度均匀。这一点对制备带状基材的功能性膜（如电容器膜）尤为重要。

3、带状基材的跑偏和起褶问题。随着卷绕速度的提高，带状基材在卷绕镀膜过程中，起褶和发生偏斜，严重时会造成基材的断裂，使生产中断，既影响生产效率，又浪费材料。因此，在卷绕机构的设计中应充分考虑这一问题。

卷绕镀膜机真空抽气系统分上室下室两组，下室为蒸镀室，要求真空度高，主泵多为油扩散泵。上室为基材卷绕室，要求真空度较低，为罗茨泵机组或扩散泵一罗茨泵一机械泵组。一般蒸镀室要达到的真空度为1x10^-3Pa—2×10^-3Pa，而工作压力为1×10^-2Pa—2×10^-2Pa，而卷绕室真空度通常较蒸镀室低一个数量级。有时卷绕镀膜机以增扩泵（油扩散泵的一种）为主泵，它的极限压力虽然不及油扩散泵，但其抽速范围向高压方向延伸一个数量级，非常适宜此类蒸发的镀膜过程。

采用PVD镀膜技术镀出的膜层有什么优势

采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性（低摩擦系数）、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长；同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。PVD膜层能直接镀在不锈钢、硬质合金上、钛合金、陶瓷等表面，对锌合金、铜、铁等压铸件应***行化学电镀铬，然后才适合镀PVD。PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法，它能够制备各种单一金属膜（如铝、钛、锆、铬等）、氮化物膜（TiN[钛金]、ZrN〔锆金〕、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化物膜（如TiO等）。PVD镀膜膜层的厚度为微米级，厚度较薄，一般为0.1μm～5μm，其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.1μm~2μm，因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能，并能够维持工件尺寸基本不变，镀后不须再加工。

多弧离子真空镀膜机镀膜技术具有以下特点：可以任意安装使薄膜均匀。外加磁场可以改善电弧放电；使电弧细碎；旋转速度加快；细化膜层微粒；对带电粒子产生加速作用。金属离化率高，有利于薄膜的均匀性和提高附着力，是实现离子镀膜的良好工艺。一弧多用，既是蒸发源，又是预轰击净化源和离化源。

中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术介绍

很多人不知道，磁控溅射真空镀膜机镀膜技术也分类型的，镀的产品不一样，使用的磁控溅射技术也是有差别，今天至成真空小编为大将讲解一下中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术，希望能帮到大家。

中频磁控溅射真空镀膜机镀膜技术分靶源分平衡和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。不管平衡非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。

用磁控靶源溅射金属和合金很容易，点火和溅射很方便。这是因为靶（阴极），等离子体，和被溅零件真空腔体可形成回路。但若溅射绝缘体如陶瓷则回路断了。于是人们采用高频电源，回路中加入很强的电容。这样在绝缘回路中靶材成了一个电容。但高频磁控溅射电源昂贵，溅射速率很小，同时接地技术很复杂，因而难大规模采用。为解决此问题，发明了磁控反应溅射。就是用金属靶，加入Ar气和反应气体如氮气或氧气。当金属靶材撞向零件时由于能量转化，与反应气体化合生成氮化物或氧化物。